EEPROM和FLASH，NAND FLASH和NOR FLASH有什么区别？

存储器分为两大类：RAM 和 ROM

存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件，是计算机和数字设备中的重要组成部分。
存储器可分为 随机存取存储器（RAM）和 只读存储器（ROM）两大类。
随机存取存储器（RAM）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。
任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失；
所以RAM是易失性存储器。

ROM为只读存储器，除了 固定存储数据、表格、固化程序外，在组合逻辑电路中也有着广泛用途
ROM最初是 不能编程 的，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。
后来出现了PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片；

技术迭代，不断升级进步，出现了可多次擦除写入的 EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，
EEPROM 出现，可以随意的修改 ROM 中的内容了。

EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。
是相对于紫外擦除的 ROM 来讲的。但是今天已经存在多种 EEPROM 的变种，变成了一类 存储器 的统称。

狭义的 EEPROM：
这种ROM的特点是可以 随机访问和修改任何一个字节，
可以往每个 bit位 中写入 0或者1；
这是最传统的一种 EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的 EEPROM 都是几十千字节 到 几百千字节 的，绝少有超过 512K 的。例如我们常见的 24C02：

广义的EEPROM：
FLASH属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它 FLASH。
FLASH做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的ROM一般都是Flash。如 W25Q128JVSIQ：


FLASH分为NOR FLASH 和 NAND FLASH。
NOR FLASH：
NOR FLASH数据线 和 地址线 分开，可以实现 RAM一样的 随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。依然 W25Q128JVSIQ

NAND FLASH
NAND FLASH同样是按 块擦除，但是 数据线 和 地址线 复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（NAND FLASH 按块来擦除，按页来读，NOR FLASH 没有页），例如：W29N01HVSINA